RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
17.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
4065
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link