RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
4065
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link