RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3698
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link