RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
39
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
3285
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link