RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
31
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2817
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link