RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2817
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link