RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2916
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link