RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2916
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link