RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3242
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link