RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3242
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link