RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3234
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link