RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3234
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link