RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3756
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link