RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3033
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link