RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1911
3033
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link