RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3033
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link