RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
33
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
20
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3395
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link