RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Pontuação geral
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
33
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
20
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1911
3395
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link