RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3318
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Inmos + 256MB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link