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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
3318
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
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