RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3563
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link