RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3563
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO M418039 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link