RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3728
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link