RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3728
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link