RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3373
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link