RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3546
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link