RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3429
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link