RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB RAM-Vergleiche
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link