RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link