RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
18.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
4207
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link