RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
4207
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link