RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2655
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link