RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
51
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
36
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2569
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link