RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
73
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
73
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1650
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link