RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2580
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link