Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    47 left arrow 62
    Wokół strony -32% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    9.3 left arrow 7.4
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    62 left arrow 47
  • Prędkość odczytu, GB/s
    7.4 left arrow 9.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.9 left arrow 5.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1612 left arrow 1671
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania