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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
62
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
7.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
62
47
Velocità di lettura, GB/s
7.4
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
1671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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