Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    47 left arrow 62
    Intorno -32% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 7.4
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    62 left arrow 47
  • Velocità di lettura, GB/s
    7.4 left arrow 9.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.9 left arrow 5.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1612 left arrow 1671
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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