Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    7.4 left arrow 5.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    5.9 left arrow 3.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    45 left arrow 62
    Intorno -38% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    62 left arrow 45
  • Velocità di lettura, GB/s
    7.4 left arrow 5.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.9 left arrow 3.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1612 left arrow 1226
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RAM 2

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