RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.7
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3147
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Segnala un bug
×
Bug description
Source link