Confronto tra le RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 39

Intorno 28% latenza inferiore

Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

13.7 12.7

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.7 7.5

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 8500

Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1988 2431

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns