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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

総合得点
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

総合得点
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 39
    周辺 28% 低遅延
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.7 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
    周辺 1.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1988 left arrow 2431

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