RAM-Vergleich Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Gesamtnote

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 39

Rund um 28% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.7 12.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.7 7.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 8500

Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1988 2431

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns