RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
77
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2588
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link