RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2588
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link