RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2588
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link