Comparação RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Pontuação geral

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 39

Por volta de 28% menor latência

Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.7 12.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.7 7.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

12800 8500

Por volta de 1.51 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1988 2431

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns