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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
12.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
12800
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2220
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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