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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

総合得点
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Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    5.9 left arrow 3.4
    テスト平均値
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 62
    周辺 -38% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    7.4 left arrow 5.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 3.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1612 left arrow 1226

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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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