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Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

総合得点
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Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 48
    周辺 6% 低遅延
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.9 left arrow 3.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    5.5 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.4 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1226 left arrow 2055

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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
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メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
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メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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