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Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Puntuación global
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Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Puntuación global
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Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    45 left arrow 48
    En 6% menor latencia
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10 left arrow 5.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.9 left arrow 3.4
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 48
  • Velocidad de lectura, GB/s
    5.5 left arrow 10.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    3.4 left arrow 6.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1226 left arrow 2055

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Memoria RAM
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Memoria RAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Memoria RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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