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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

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Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    7.4 left arrow 5.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    5.9 left arrow 3.4
    Valor medio en las pruebas
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB Razones a tener en cuenta
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    45 left arrow 62
    En -38% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    62 left arrow 45
  • Velocidad de lectura, GB/s
    7.4 left arrow 5.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.9 left arrow 3.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1612 left arrow 1226

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM

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