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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
3.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
62
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
62
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
5.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
3.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
1226
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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