Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gesamtnote
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Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 5.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 3.4
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    45 left arrow 62
    Rund um -38% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    62 left arrow 45
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 5.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 3.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1612 left arrow 1226
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